電阻蒸發(fā)鍍膜

電阻鍍膜鍍膜技術(shù)特點(diǎn)

1>.真空鍍膜

真空蒸鍍工藝簡(jiǎn)稱(chēng)蒸發(fā)，是指在真空條件下，通過(guò)一定的加熱蒸發(fā)方法，使鍍膜材料（或薄膜材料）蒸發(fā)、氣化，用飛到基片表面薄膜的方法。蒸發(fā)較早、應(yīng)用最廣泛的氣相沉積技術(shù)，具有成膜方法簡(jiǎn)單、薄膜純度高、致密性好、薄膜結(jié)構(gòu)與性能獨(dú)特等優(yōu)點(diǎn)。

2>.工作原理

蒸發(fā)的物理過(guò)程包括：沉積材料蒸發(fā)或升華成氣態(tài)噴嘴→氣態(tài)噴嘴從蒸發(fā)源快速管道到基片表面→氣態(tài)噴嘴在基片表面生成生成固體→薄膜原子重新組成或產(chǎn)生化學(xué)鍵。

將基片安置真空室內(nèi)，采用電阻、電子束、激光等方法加熱，使薄膜材料蒸發(fā)或升華，氣化成具有一定能量（0.1~0.3eV）的粒子（原子、分子或團(tuán)簇）。基本無(wú)碰撞的直接運(yùn)動(dòng)輸送到基片上，到達(dá)基片表面的粒子一部分被反射，另一部分則吸附在基片上并在表面鋪展，導(dǎo)致沉積原子發(fā)生二維碰撞形成團(tuán)簇之間，也有一部分可能在表面短暫停留后吸。團(tuán)簇粒子不斷與彌散粒子發(fā)生碰撞，或吸附，或放出單體。這個(gè)過(guò)程反復(fù)重復(fù)，當(dāng)聚集的粒子數(shù)量超過(guò)某個(gè)時(shí)一個(gè)臨界值時(shí)，就成為穩(wěn)定的核，然后繼續(xù)形成吸附、彌散粒子并逐漸增大，最后通過(guò)迭代穩(wěn)定核的接觸、合并，連續(xù)的薄膜。

3>. 關(guān)鍵參數(shù)

蒸發(fā)蒸汽壓（PV）：真空室內(nèi)蒸發(fā)材料的蒸汽在一定溫度下與固體或液體達(dá)到平衡時(shí)的壓力關(guān)系。蒸發(fā)蒸汽壓與溫度的曲線對(duì)于薄膜技術(shù)的制備具有重要意義，有助于我們合理選擇蒸發(fā)材料、確定蒸發(fā)條件。